ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة بمقحل واحد
ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة بمقحل واحد (بالإنجليزية: 1T-SRAM) وهي ذاكرة شبيه بالساكن تم تصميمها من قبل شركة موسيس (MoSys)، وهي أكثر كثافة من ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة.[1] فهي تستخدم مقحلا واحد لتخزين كل بت مثل ذاكرة الوصول العشوائي الدينمكية لكنها تحيط هذا المقحل بدائرة تحكم لتعمل مثل ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة.
مراجع
- "معلومات عن ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة بمقحل واحد على موقع academic.microsoft.com". academic.microsoft.com. مؤرشف من الأصل في 3 نوفمبر 2020. الوسيط
|CitationClass=
تم تجاهله (مساعدة)
- بوابة إلكترونيات
- بوابة تقنية المعلومات
- بوابة علم الحاسوب
- بوابة كهرباء
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.