ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المضمنة

ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المضمنة (بالإنجليزية: embedded DRAM eDRAM)‏ وهو نوع من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المبنية على نظام مكثف.[1][2][3] وهي تكون في العادة منضمة مع المعالج ولذا سمية المنضمة خلافا لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية و ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة المستخدمة ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية. وإن ضم هذه الذاكرة إلى المعالج يؤمن منفذ معلومات أكبر وبذلك تصبح سرعة تدفق المعلومات أكبر ويصبح تكبير الذاكر سهلا. ولكن اختلاف تكنولوجيا التصنيع يجعل ضمهما في قطعة واحدة صعبة، ولذلك تصنع كل رقاقة على حدى ثم تضم في وحدة واحدة.

مراجع
  1. "Haswell GT3e Pictured, Coming to Desktops (R-SKU) & Notebooks". AnandTech. مؤرشف من الأصل في 05 نوفمبر 2016. اطلع عليه بتاريخ 07 أكتوبر 2013. الوسيط |CitationClass= تم تجاهله (مساعدة); تحقق من التاريخ في: |تاريخ أرشيف= (مساعدة)
  2. "Hot Chips XXI Preview". Real World Technologies. مؤرشف من الأصل في 27 فبراير 2012. اطلع عليه بتاريخ 17 أغسطس 2009. الوسيط |CitationClass= تم تجاهله (مساعدة); روابط خارجية في |ناشر= (مساعدة)
  3. Intel's Embedded DRAM: New Era of Cache Memory نسخة محفوظة 06 يناير 2017 على موقع واي باك مشين.
    • بوابة تقنية المعلومات
    • بوابة علم الحاسوب
    This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.